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元件参数资料
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参数目录38103
> FDFS2P103 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
型号:
FDFS2P103
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDFS2P103 PDF
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
59 毫欧 @ 5.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
528pF @ 15V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
标准包装
其它名称
FDFS2P103DKR
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